danh mục sản phẩm

Đánh giá RAM Kingston HyperX Fury DDR4 – Giá mềm, khả năng ép xung cao

2101 lượt xem
 
Bên cạnh hai phiên bản phổ thông của dòng HyperX Fury DDR4 bus 2.133MHz và 2.400 MHz, Kingston cũng giới thiệu kit RAM cao nhất HX426C15FBK2/16 với xung nhịp đạt mức 2.666MHz, hướng đến nền tảng Intel Skylake với bo mạch chủ chipset 100 series cùng bộ xử lý socket LGA1151.

Thiết kế sản phẩm phù hợp với đa số người dùng hơn nhờ giá mức hấp dẫn (khoảng 4 triệu đồng), tức chỉ cao hơn một chút so với kit RAM DDR3 cao nhất hiện nay. Ngoài ra, HyperX Fury kit 16GB cũng có khả năng ép xung mạnh mẽ không kém những kit RAM DDR4 cao cấp khác khi có thể đạt đến ngưỡng 3.000MHz mà hệ thống vẫn đảm bảo hoạt động ổn định.

Thiết kế

Kingston Fury_tinhte.vn 1.jpg


Fury HX426C15FBK2/16 được đóng gói theo dạng kit 2 thanh với tổng dung lượng 16GB (2*8GB). Sản phẩm khoác bộ cánh “ton sur ton” với nền bo mạch chủ cấu hình thử nghiệm mang lại cảm giác chắc chắn và đáng tin cậy. Lớp tản nhiệt hợp kim nhôm ôm theo chiều dài cạnh bên của RAM tăng cường khả năng tản nhiệt và quan trọng hơn bảo vệ phần vi mạch cùng các chip nhớ bên trong khỏi tĩnh điện từ tay người dùng khi tháo ráp.

Ngoài ra HX426C15FBK2/16 còn trang bị chip SPD (serial presence detect) hỗ trợ công nghệ XMP (extreme memory profile) nên khi sử dụng trên bo mạch chủ hỗ trợ công nghệ này, bạn sẽ dễ dàng đẩy xung nhịp lên giới hạn cao nhất chỉ với một vài thiết lập đơn giản trong BIOS. Theo Kingston cho biết kit RAM chạy ở mức 2.666 MHz với các giá trị timing cơ bản (CL, tRCS, tRP, tRASm CMD) 15-17-17-35-2T và điện áp đầu vào chỉ 1,2V.

Kingston Fury_tinhte.vn 2.jpg

So với bộ nhớ DDR3 phổ biến thì hai cải tiến quan trọng nhất của DDR4 là mức tiêu thụ điện năng giảm còn 1,2v và băng thông lớn hơn nhờ phát triển của tuyến truyền (bus) dữ liệu hoàn toàn mới. Cụ thể DDR4 có tốc độ truyền tải dữ liệu vào khoảng 3,2 GT/s (gigatransfer mỗi giây), cao gấp đôi so với DDR3 là 1,6 GT/s và mức điện thế đầu vào của DDR4 là 1,2V, giảm khoảng 20% so với 1,5V của DDR3.

Bên cạnh đó, DDR4 cũng hỗ trợ chế độ tiết kiệm năng lượng mới cho phép thiết bị “ngủ” sâu hơn trong trạng thái chờ (stand by) mà không cần phải làm tươi bộ nhớ định kỳ.

Cấu hình thử nghiệm

Kingston Fury_tinhte.vn 3.jpg
 

Để các thành viên diễn đàn tiện tham khảo, Tinhte xây dựng cấu hình phần cứng nền tảng Skylake với bo mạch chủ Gigabyte GA-Z170X-UD5, CPU Intel Core i5-6600K, đồ họa tích hợp HD Graphics 6530, SSD Plextor M6e 256GB, HDD Black WD4001FAEX 4TB, nguồn Cooler Master 1.250W, Windows 10 pro x64.

Bên cạnh các công cụ đánh giá chi tiết RAM như AIDA64, MaxxMEM 2 và PCMark 05 (lấy giá trị cao nhất sau 5 lần chạy), Tinhte cũng kiểm thử hiệu năng tổng thể và năng lực xử lý đồ họa với PCMark 8, 3DMark cùng một số tựa game nặng ở độ phân giải 720p nhằm đánh giá những tác động đến hiệu năng tổng thể cũng như mức độ ổn định của hệ thống.

Hiệu năng
  • PCMark 05_tinhte.vn.jpg
Qua AIDA64 cho thấy tốc độ cao nhất của kit RAM trong thử nghiệm là 21.394 MB/s với tác vụ đọc, ghi đạt 27.339 MB/s, copy đạt 24.176 MB/s và độ trễ chỉ 57,4 ns (nanosecond). Với PCMark 05 kiểm tra tốc độ truy xuất đoạn dữ liệu mẫu 16 MB, tốc độ đọc đạt 21.226 MB/giây, ghi 21.563 MB/giây, copy 21.160 MB/giây và số lượt truy xuất ngẫu nhiên (tính trên giây) là 42,8 MAccesses/giây.

Với PCMark 8 đánh giá tác động đến hệ thống khi thay đổi xung nhịp RAM, cấu hình thử nghiệm đạt 3.926 điểm trong phép thử Home và 4.778 điểm trong phép thử Creative. Tương tự qua phép thử đồ họa 3DMark Cloud Gate đạt 8.012 điểm tổng thể, trong đó điểm đồ họa là 9.093 điểm và CPU là 5.659 điểm.
PCMark 8_tinhte.vn.jpg

Khả năng ép xung

super pi_tinhte.vn.jpg


Như đề cập trên, kit RAM HyperX Fury của Kingston không chỉ thay đổi thiết kế tản nhiệt mà còn có khả năng ép xung tốt hơn. Tinhte đã thể nghiệm khả năng ép xung và tính ổn định của HX426C15FBK2/16 bằng việc đẩy xung nhịp lên cao hơn so với mặc định mà nhà sản xuất công bố. Cụ thể HX426C15FBK2/16 có thể hoạt động ổn định mức 3.000 MHz khi vẫn giữ nguyên giá trị timing cơ bản 15-17-17-35-2T và tăng mức điện áp đầu vào lên mức 1,5V.

Vì quá trình ép xung đòi hỏi sự kiên nhẫn và mất khá nhiều thời gian nên mình không mô tả chi tiết phần này mà chỉ đề cập đến mức xung nhịp cao nhất của RAM với điều kiện cấu hình thử nghiệm hoàn tất hai phép thử nặng ký là 3DMark và PCMark mà không gặp lỗi.

cachemem 2_tinhte.vn.png

Cũng cần lưu ý là việc ép xung RAM không mang lại hiệu quả cao như với CPU hoặc card đồ họa. Tuy nhiên xét tổng thể thì hiệu năng hệ thống, năng lực xử lý của đồ họa tích hợp và tốc độ xử lý khung hình trong game cũng được cải thiện theo hướng tích cực. Tham khảo chi tiết trong bảng so sánh kết quả bên trên.
Nguồn: Tinhte.vn
kết nối với chúng tôi